意气飞扬，他怎么也没想到，早在两年前，他们就已经掉进了李怡炫为他们精心设计的坑里面。
闪存属于高级存储器，对工艺要求极高，必须使用cmos工艺才能达到要求，当英特尔把全部的身价投入进去开cmos的闪存工艺技术的时候，就已经说明他们基本上放弃了netbsp; 虽然未来的cpu也是cmos工艺，但这两者是完全不同的net阱netmos，而闪存更多属于p阱cmos反相器工艺，两者是完全的不同。
当然，你可以用p阱net阱cmos工艺来生产闪存，可这么做在经济上非常不划算，用p阱cmos反相器工艺生产的net阱cmos工艺来生产的闪存也一样，良品率都不怎么样，这会导致芯片成本过高，成本不划算。
但反过来就完全不一样了，只有工艺成熟，产业工人的熟练度够高，良品率想要维持在95%以上压力不大。
至于np同阱cmos工艺，又是另外一种工艺技术了，数码相机上的netp同阱cmos工艺技术。
另外，英特尔在2o12年推出的3dnetp同阱netp同阱的硅晶片的中间硅，把这个硅给拔高成第三极，就是我们所谓的3d中央处理器。
传统扁平的2d平面晶体管只在顶部有一个栅极，技术人员将2d平面栅极“拔”高成了相当薄的、从硅基体垂直竖起的3d硅鳍状物。这样，在鳍状物的两侧和顶部各有一个栅极，形成导电通道，增加了反型层面积，提高了次临界斜率，降低了漏电流和临界电压，进而实现电流控制。
使晶体管在“开”的状态下让尽可能多的电流通过，
第184章 开放才是未来(4/7)